具有優異的光學、電學、力學特性，在材料學、微納加工、能源、等方面具有重要的應用前景，被認為是一種未來革命性的材料
而晶片材料使用石墨烯，可以使晶片的速率提升百萬倍，功耗遠遠小於矽材料的os工藝…，其原因就是墨烯在室溫下的載流子遷移率約為2v·s），這一數值超過了矽材料的10倍，是已知載流子遷移率最高的物質銻化銦insb）的兩倍以上。在某些特定條件下如低溫下，石墨烯的載流子遷移率甚至可高達2v·s）。與很多材料不一樣，石墨烯的電子遷移率受溫度變化的影響較小，50~500k之間的任何溫度下，單層石墨烯的電子遷移率都在2v·s）左右
…
不過，在21世紀，晶片材料在石墨烯的應用，只是停留在實驗室，還沒有大規模商用，其原因是石墨烯場效應電晶體替代矽材料場效應電晶體需要一段時間驗證…，另外，在工藝上，如何批次生產大面積、穩定性好、高質量的石墨烯，也是難點之一，需要一定的時間解決…
…
總之，李飛一定拿出鉅額資金，源源不斷地投入石墨烯的研發，這不光與各大學校合作，後續，李飛專門成立晶片材料研究院…，召集國內最優秀的人才，對石墨烯的研發…
…
同時，在晶片製造和儲存器製造上，李飛委託華夏科技大學，東大大學，對電子資訊工程等相關電子技術專業進行定點培訓，並且，直接簽訂工作合同，免掉學費，為後續晶片製造工廠提供後備人才，且人數不限…
…
為了讓定點培訓的學生，快速地進入工作，那麼，就意味著相關的教材就要符合實際工作技能，於是，李飛親自編寫《晶片製造工藝技術》《儲存器製造工藝》
例如晶片製造工藝技術步驟：
1、溼洗(用各種試劑保持矽晶圓表面沒有雜質)
2、光刻(用紫外線透過蒙版照射矽晶圓，被照到的地方就會容易被洗掉，沒被照到的地方就保持原樣.於是就可以在矽晶圓上面刻出想要的圖案.注意，此時還沒有加入雜質，依然是一個矽晶圓.)
3、離子注入(在矽晶圓不同的位置加入不同的雜質，不同雜質根據濃度位置的不同就組成了場效電晶體.)
4、幹蝕刻(之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構，這一步進行蝕刻).
5溼蝕刻(進一步洗掉，但是用的是試劑，所以叫溼蝕刻)——以上步驟完成後，場效電晶體就已經被做出來啦，但是以上步驟一般都不止做一次，很可能需要反反覆覆的做，以達到要求…
…
不過，在這裡說明一下，數字邏輯晶片相比儲存晶片要複雜，意味數字邏輯晶片是由各種電路組成，例如閘電路，濾波電路，放大電路等構成，以及各種規則。。。而儲存器是儲存模組堆疊，相對來說，功能比較單一，製造也比較簡單，，，
…
另外，李飛前往大深大學，與大深大學的負責人達成了合作關係，將來為大深市晶片產業有限公司提供相關的軟體人才，並且定點培訓系統架構的軟體專業，為將來的riscv架構，與手機系統提供大量的人才…
喜歡晶片產業帝國請大家收藏：()晶片產業帝國書更新速度全網最快。